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電子探針X射線微區(qū)分析儀

簡(jiǎn)要描述:島津能夠提供鋼鐵、有色金屬、環(huán)境、食品、化工、制藥、半導(dǎo)體、陶瓷及高分子等眾多領(lǐng)域客戶,多種樣品分析所需要的種類繁多的分析儀器。EPMA-8050G電子探針X射線微區(qū)分析儀的分析對(duì)象從幾厘米到幾微米;X射線光電子能譜儀(XPS)分析對(duì)象從幾毫米到幾微米;掃描探針顯微鏡(SPM)觀察范圍從100微米到幾納米。

  • 產(chǎn)品型號(hào):EPMA-8050G
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時(shí)間:2024-07-04
  • 訪  問  量:2308

詳細(xì)介紹


“The Grand EPMA"電子探針X射線微區(qū)分析儀 誕生

搭載場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng)
將島津EPMA分析性能充分發(fā)揮。

從SEM觀察條件到1μA量級(jí),在各種束流條件下都擁有空間分辨率的場(chǎng)發(fā)射電子光學(xué)系統(tǒng)。結(jié)合島津傳統(tǒng)的高性能X射線譜儀,將分析性能有效發(fā)揮。

當(dāng)之無愧的“The Grand EPMA" ,zui高水準(zhǔn)的EPMA誕生!

超高分辨率面分析

對(duì)碳膜上Sn球放大3萬(wàn)倍進(jìn)行面分析。即使是SE圖像(左側(cè))上直徑只有50nm左右的Sn顆粒,在X射線圖像(右側(cè))上也是清晰可見。


電子探針X射線微區(qū)分析儀可達(dá)到的zui高級(jí)別的二次電子圖像分辨率3nm(加速電壓30kV)分析條件下的二次電子分辨率。
(加速電壓10kV時(shí)20nm@10nA/50nm@100nA/150nm@1μA)

二次電子圖像zui高分辨率3nm
碳噴鍍金顆粒的觀察實(shí)例。實(shí)現(xiàn)zui高分辨率
3nm(@30kV)。相對(duì)較高的束流也可將電子束壓
細(xì)聚焦,更加容易的獲得高分辨率的SEM圖像。

大束流超高靈敏度分析
實(shí)現(xiàn)3.0μA(加速電壓30kV)的zui大束流。
全束流范圍無需更換物鏡光闌。

■ zui多可同時(shí)搭載5通道高性能4英寸X射線譜儀
無人可及的52.5°X射線取出角。
4英寸羅蘭圓半徑兼顧高靈敏度與高分辨率。
zui多可同時(shí)搭載5通道相同規(guī)格的X射線譜儀。

全部分析操作簡(jiǎn)單易懂
全部操作僅靠一個(gè)鼠標(biāo)就可進(jìn)行的*可操作性。
追求「易懂」的人性化用戶界面。
搭載導(dǎo)航模式,自動(dòng)指引直至生成報(bào)告。

超高靈敏度面分析

使用1μA束流對(duì)不銹鋼進(jìn)行5000倍的面分析。精確地捕捉到了Cr含量輕微不同形成的不同的相(左側(cè)),同時(shí)也成功地將含量不足0.1%的Mn分布呈現(xiàn)在我們眼前(右側(cè))。


實(shí)現(xiàn)微區(qū)超高靈敏度分析的*技術(shù)

1 高亮度肖特基發(fā)射體
場(chǎng)發(fā)射電子槍采用的肖特基發(fā)射體比一般傳統(tǒng)SEM使用的發(fā)射體針尖直徑更大,輸出更高。即可以保持其高亮度,還可提供高靈敏度分析*的穩(wěn)定大電流。

2  EPMA電子光學(xué)系統(tǒng)
電子光學(xué)系統(tǒng),聚光透鏡盡可能的接近電子槍一側(cè),交叉點(diǎn)不是靠聚光透鏡形成,而是由安裝在與物鏡光闌相同位置上,具有獨(dú)立構(gòu)成與控制方式的可變光闌透鏡來形成交叉點(diǎn)的(日本:第4595778號(hào))。簡(jiǎn)單的透鏡結(jié)構(gòu),既能獲得大束流,同時(shí)全部電流條件下設(shè)定zui合適的打開角度,將電子束壓縮到zui細(xì)。當(dāng)然是不需要更換物鏡光闌的。

3 超高真空排氣系統(tǒng)
電子槍室、中間室、分析腔體之間分別安裝有篩孔(orifice)間隔方式的2級(jí)差動(dòng)排氣系統(tǒng)。中間室與分析腔體間的氣流孔做到zui小,以控制流入中間室的氣體,使電子槍室始終保持著超高真空,確保發(fā)射體穩(wěn)定工作。

4 高靈敏度X射線譜儀
zui多可同時(shí)搭載5通道兼顧高靈敏度與高分辨率的4英寸X射線譜儀。52.5°的X射線取出角在提高了X射線信號(hào)的空間分辨率的同時(shí),又可減小樣品對(duì)X射線的吸收,實(shí)現(xiàn)高靈敏度的分析。




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